超高真空电子束蒸镀设备 UHV E-beam Evaporation System

超高真空电子束蒸镀设备 UHV E-beam Evaporation System
超高真空环境的特征为其真空压力低于 10^-8至10^-12 Torr, 在化学物理和工程领域十分常见. 超高真空环境对于科学研究非常重要, 因为实验通常要求, 在整个实验过程中, 表面应保持无污染状态和使用较低能量的电子和离子的实验技术的使用, 而不会受到气相散射的过度干扰. 在这样超高真空环境下使用电子束蒸镀,

上海伯东代理超高真空电子束蒸镀设备腔体极限真空度约为 10^-10Torr, 针对超高真空和高温加热设计基板旋转镀膜机构, 使用陶瓷培林旋转, 并在内部做水冷循环来保护机构以确保长时间运转的稳定性, 可以提供高质量的薄膜, 薄膜均匀度小于 ±3％.


超高真空电子束蒸镀配置和优点
客制化的基板尺寸, -大直径可达 8吋晶圆
薄膜均匀度小于 ±3％
具有水冷坩埚的多组坩锅旋转电子束源 (1/2/4/6坩埚）
自动镀膜系统
具有顺序操作或共沉积的多个电子束源
基板具有冷却 ( 液态氮温度低至-70°C ) 或加热 ( 温度-高800°C ) 等功能

电子束蒸镀设备基本参数

腔体
客制化的腔体尺寸取决于基板尺寸和其应用
腔体为使用金属密封圈并可烘烤至 150°C
腔体的极限真空度约为 10^-10Torr

选件
可以与传送腔, 机械手臂和手套箱整合在一起
结合美国 KRi 离子源, 溅镀枪, 热蒸发源, 等离子清洁...

应用领域
光学材料研究 (LED / Laser Diode)
光电元件
半导体元件

对传统热蒸发技术难以实现的材料蒸发, 可采用电子束蒸发的方式来实现. 不同于传统的辐射加热和电阻丝加热, 高能电子束轰击可实现超过 3000℃ 的局域高温, 这使得绝大部分常用材料都可以被蒸发出来, 甚至是高熔点的材料, 例如, Pt, W, Mo, Ta 以及一些氧化物, 陶瓷材料等. 上海伯东代理的电子束蒸发源可承载 1-6种不同的材料, 实现多层膜工艺; 蒸发源本身防污染设计, 使得不同材料之间的交叉污染降到-低.
 

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