点击图片查看原图
件 库存2100件
封装：BGA134
特性：
超低压核心和I / O电源
- VDD2 = 1.14-1.30v
Vddca 1.14-1.30v VDDQ =
- VDD1 = 1.70-1.95v
时钟频率范围
- 533-10mhz（数据率范围：1066-20mb / S /销）
四位预取DDR体系结构
并发操作的内部银行八
复用、双数据速率、命令/地址输入命令进入每一个ckedge；
双向/差每字节数据的数据选通（DQS / DQS #）
可编程只读和wrtte潜伏期（RL / WL）
可编程的突发长度：4,8或16
并行操作的银行刷新
片上温度传感器来控制自我的刷新率（SR不支持> 105）
部分阵列自刷新（PASR）
深掉电模式（DPD）
可选输出驱动强度（DS）
时钟停止的能力
符合RoHS标准的“绿色”包装
Features
Ultra low-voltage core and I/O power supplies
-Vdd2=1.14-1.30V
-Vddca/Vddq=1.14-1.30V
-Vdd1=1.70-1.95V
Clock frequency range
-533-10MHz(data rate range:1066-20Mb/s/pin）
Four-bit prefetch DDR architecture
Eight internal banks for concurrent operation
Multiplexed,double data rate,command/address inputs;commands entered on every CKedge
Bidirectional/differential data strobe per byte of data(DQS/DQS#)
Programmable READ and WRTTE latencies(RL/WL）
Programmable burst lengths:4,8 or 16
Per-bank refresh for concurrent operation
On-chip temperrature sensor to control self refresh rate(SR not supported>105)
Partial-array self refresh(PASR)
Deep power-down mode(DPD)
Selectable output drive strength(DS)
Clock stop capability
RoHS-compliant,"green"packaging
深圳市创域兴泰电子科技有限公司
李晓霞：13640934125 QQ：2764279657
深圳市华强北华联发大厦西座701室