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（2）水蒸气的影响：水蒸气（H2O）在1100℃时与SiC发生强烈化学反应，生成Si、SiO2和C。硅碳棒表面出现裂纹，电阻增长速度很快。
（3）氮气（N2）的影响：当硅碳棒表面温度达到1400℃时，N2就与SiC发生反应，生成氮化硅，使硅碳棒的电阻值显著增长。
（4）氢气（H2）的影响：在1250℃时，H2与SiC发生反应，生成甲烷（CH4）,破坏SiC发热体。
（5）氨气（NH3）的影响：NH3在高温时可分解成成N2和H2。故使用温度应控制在1250℃以下。
（6）二氧化硫（SO2）的影响：SO2在1300℃与SiC反应，故使用温度应控制在1300℃以下。
（7）氯气（Cl2）的影响：Cl2在600℃时就会与SiC发生反应，在1200℃时，Cl2会把硅碳棒完全分解。
（3）氮气（N2）的影响：当硅碳棒表面温度达到1400℃时，N2就与SiC发生反应，生成氮化硅，使硅碳棒的电阻值显著增长。
（4）氢气（H2）的影响：在1250℃时，H2与SiC发生反应，生成甲烷（CH4）,破坏SiC发热体。
（5）氨气（NH3）的影响：NH3在高温时可分解成成N2和H2。故使用温度应控制在1250℃以下。
（6）二氧化硫（SO2）的影响：SO2在1300℃与SiC反应，故使用温度应控制在1300℃以下。
（7）氯气（Cl2）的影响：Cl2在600℃时就会与SiC发生反应，在1200℃时，Cl2会把硅碳棒完全分解。